MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STD18N55M5, VDSS 550 V, ID 13 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 761-0418
- Referência do fabricante:
- STD18N55M5
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- 761-0418
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 13A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 550V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | MDmesh M5 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 240mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 90W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 31nC | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 6.6mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 2.4mm | |
| Anchura | 6.2 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 13A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 550V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie MDmesh M5 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 240mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 90W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 31nC | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 6.6mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 2.4mm | ||
Anchura 6.2 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics
El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.
Transistores MOSFET, STMicroelectronics
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