MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 13 A, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 203-3432
- Referência do fabricante:
- STD18N60M6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 203-3432
- Referência do fabricante:
- STD18N60M6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 13A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | M6 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 230mΩ | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 16.8nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 110W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 6.6mm | |
| Anchura | 2.4 mm | |
| Altura | 10.1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 13A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie M6 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 230mΩ | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 16.8nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 110W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 6.6mm | ||
Anchura 2.4 mm | ||
Altura 10.1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de potencia M6 MDmesh de canal N de STMicroelectronics incorpora los avances más recientes en la conocida y consolidada familia MDmesh de MOSFET SJ. STMicroelectronics ha creado la generación anterior de dispositivos MDmesh mediante su nueva tecnología M6. Esto combina una excelente mejora de RDS(on) por área con uno de los comportamientos de conmutación más eficaces disponibles, así como una experiencia fácil de usar para lograr la máxima eficiencia de las aplicaciones finales.
Pérdidas de conmutación reducidas
Resistencia de entrada de puerta baja
100 % a prueba de avalancha
Protección Zener
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