MOSFET, N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 29 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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Código RS:
760-9792P
Referência do fabricante:
STW34NM60ND
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

29A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

FDmesh

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

110mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25V

Tensión directa Vf

1.6V

Disipación de potencia máxima Pd

190W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80.4nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

20.15mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

5.15mm

Longitud

15.75mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia FDmesh™ de canal N, STMicroelectronics


Transistores MOSFET, STMicroelectronics


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