MOSFET, N-Canal STMicroelectronics, VDSS 800 V, ID 11 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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Código RS:
760-9768P
Referência do fabricante:
STW11NM80
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

11A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Encapsulado

TO-247

Serie

MDmesh

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

400mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

150W

Tensión directa Vf

860mV

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-65°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-30V, +30V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

43.6nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

5.15mm

Longitud

15.75mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

20.15mm

Estándar de automoción

No

MDmesh™ de canal N, 800 V/1500 V, STMicroelectronics


Transistores MOSFET, STMicroelectronics


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