MOSFET, N-Canal STMicroelectronics STW11NM80, VDSS 800 V, ID 11 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 760-9768
- Referência do fabricante:
- STW11NM80
- Fabricante:
- STMicroelectronics
A imagem representada pode não ser a do produto
Obtenha um desconto por quantidade
Adicione mais 10 para poupar 22,00 €
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 unidade)*
5,36 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 6 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
- Mais 120 unidade(s) para enviar a partir do dia 17 de novembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Poupança |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 5,36 € | - |
| 10 - 99 | 3,16 € | 22,00 € |
| 100 + | 2,52 € | 284,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 760-9768
- Referência do fabricante:
- STW11NM80
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 11A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Serie | MDmesh | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 400mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 43.6nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -65°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -30V, +30V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 150W | |
| Tensión directa Vf | 860mV | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 20.15mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 15.75mm | |
| Anchura | 5.15mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 11A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Serie MDmesh | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 400mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 43.6nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -65°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -30V, +30V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 150W | ||
Tensión directa Vf 860mV | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 20.15mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 15.75mm | ||
Anchura 5.15mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MDmesh™ de canal N, 800 V/1500 V, STMicroelectronics
Transistores MOSFET, STMicroelectronics
Links relacionados
- MOSFET, N-Canal STMicroelectronics, VDSS 800 V, ID 11 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 800 V, ID 11 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal STMicroelectronics, VDSS 800 V, ID 19.5 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal STMicroelectronics, VDSS 800 V, ID 10.5 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal STMicroelectronics, VDSS 800 V, ID 9 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal STMicroelectronics, VDSS 800 V, ID 14 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal STMicroelectronics, VDSS 900 V, ID 11 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon SPW11N80C3FKSA1, VDSS 800 V, ID 11 A, Mejora, TO-247 de 3 pines