MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 800 V, ID 19.5 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 168-7040
- Referência do fabricante:
- STW25N80K5
- Fabricante:
- STMicroelectronics
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 tubo de 30 unidades)*
124,08 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 06 de julho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 30 + | 4,136 € | 124,08 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 168-7040
- Referência do fabricante:
- STW25N80K5
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 19.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 260mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 40nC | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 250W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 15.75mm | |
| Anchura | 5.15 mm | |
| Altura | 20.15mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 19.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 260mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 40nC | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 250W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 15.75mm | ||
Anchura 5.15 mm | ||
Altura 20.15mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- MA
MDmesh™ de canal N serie K5, SuperMESH5™, STMicroelectronics
Transistores MOSFET, STMicroelectronics
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STW25N80K5, VDSS 800 V, ID 19.5 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 800 V, ID 19.5 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STP25N80K5, VDSS 800 V, ID 19.5 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 800 V, ID 10.5 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 800 V, ID 11 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 800 V, ID 9 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 800 V, ID 14 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STW12NK80Z, VDSS 800 V, ID 10.5 A, Mejora, TO-247 de 3 pines