MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STP260N6F6, VDSS 60 V, ID 120 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 760-9673
- Referência do fabricante:
- STP260N6F6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 760-9673
- Referência do fabricante:
- STP260N6F6
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- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 120A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | DeepGate, STripFET | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 183nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 300W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 15.75mm | |
| Anchura | 4.6 mm | |
| Longitud | 10.4mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 120A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie DeepGate, STripFET | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 183nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 300W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 15.75mm | ||
Anchura 4.6 mm | ||
Longitud 10.4mm | ||
Estándar de automoción No | ||
STripFET™ de canal N DeepGate™, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
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