MOSFET onsemi FDB088N08, VDSS 75 V, ID 120 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 759-9465
Referência do fabricante:: FDB088N08
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi FDB088N08, VDSS 75 V, ID 120 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:: 759-9465
Referência do fabricante:: FDB088N08
Fabricante:: onsemi

FDB088N08, PowerTrench 75V N-Channel MOSFET
ESD Control Selection Guide V1
Product Change Notification

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	120 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	75 V
Tipo de Encapsulado	D2PAK (TO-263)
Serie	PowerTrench
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	8,8 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	160 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip	1
Carga Típica de Puerta @ Vgs	91 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Longitud	10.67mm
Ancho	11.33mm
Material del transistor	Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	4.83mm

MOSFET onsemi FDB088N08, VDSS 75 V, ID 120 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

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MOSFET de canal N PowerTrench®, superior a 60 A, Fairchild Semiconductor