MOSFET onsemi FDB2614, VDSS 200 V, ID 62 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 759-8967P
Referência do fabricante:: FDB2614
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi FDB2614, VDSS 200 V, ID 62 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:: 759-8967P
Referência do fabricante:: FDB2614
Fabricante:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	62 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	200 V
Serie	PowerTrench
Tipo de Encapsulado	D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	27 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	3V
Disipación de Potencia Máxima	260 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-30 V, +30 V
Ancho	11.33mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Número de Elementos por Chip	1
Carga Típica de Puerta @ Vgs	76 nC a 10 V
Material del transistor	Si
Longitud	10.67mm
Altura	4.83mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET onsemi FDB2614, VDSS 200 V, ID 62 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

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MOSFET de canal N PowerTrench®, superior a 60 A, Fairchild Semiconductor