MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRLML0100TRPBF, VDSS 100 V, ID 1.6 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
725-9350
Número do artigo Distrelec:
304-45-311
Referência do fabricante:
IRLML0100TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

1.6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

SOT-23

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

235mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

16 V

Disipación de potencia máxima Pd

1.3W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

2.5nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

3.04mm

Altura

1.02mm

Anchura

1.4 mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia de canal N de 100 V, Infineon


La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

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