MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTD5867NLT4G, VDSS 60 V, ID 20 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 719-2901
- Referência do fabricante:
- NTD5867NLT4G
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
7,73 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Informação de stock atualmente indisponível
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,546 € | 7,73 € |
| 50 - 95 | 1,332 € | 6,66 € |
| 100 - 495 | 1,154 € | 5,77 € |
| 500 - 995 | 1,016 € | 5,08 € |
| 1000 + | 0,924 € | 4,62 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 719-2901
- Referência do fabricante:
- NTD5867NLT4G
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 20A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 50mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 36W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 15nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 2.38mm | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Anchura | 6.22 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 20A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 50mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 36W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 15nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 2.38mm | ||
Longitud 6.73mm | ||
Anchura 6.22 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor
Transistores MOSFET, ON Semiconductor
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 20 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 12 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 12 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 49 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 15.5 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 38 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 9.4 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 18 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
