MOSFET Vishay SI2301CDS-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 2,3 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 710-3238P
Referência do fabricante:: SI2301CDS-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SI2301CDS-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 2,3 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

1080 Disponível para entrega em 4 dia(s) útil(eis).

Preço Unidade (fornecido em bobina) As quantidades inferiores a 150 unidades são fornecidas em uma tira contínua

0,215 €

Unidades	Por unidade
200 - 480	0,215 €
500 - 980	0,161 €
1000 - 1980	0,134 €
2000 +	0,121 €

Código RS:: 710-3238P
Referência do fabricante:: SI2301CDS-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	2,3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	20 V
Tipo de Encapsulado	SOT-23
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	112 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	0.4V
Disipación de Potencia Máxima	860 mW
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-8 V, +8 V
Ancho	1.4mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Longitud	3.04mm
Número de Elementos por Chip	1
Carga Típica de Puerta @ Vgs	3,3 nC a 2,5 V, 5,5 nC a 4,5 V
Material del transistor	Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	1.02mm

MOSFET Vishay SI2301CDS-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 2,3 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

MOSFET de canal P, de 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor