MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTD24N06LT4G, VDSS 60 V, ID 24 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 688-9127
- Referência do fabricante:
- NTD24N06LT4G
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 2 unidades)*
1,66 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Disponibilidade limitada
Devido a limitações na cadeia de abastecimento, o stock está a ser atribuído de acordo com a disponibilidade
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 0,83 € | 1,66 € |
| 20 - 38 | 0,785 € | 1,57 € |
| 40 - 98 | 0,73 € | 1,46 € |
| 100 - 198 | 0,71 € | 1,42 € |
| 200 + | 0,685 € | 1,37 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 688-9127
- Referência do fabricante:
- NTD24N06LT4G
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 24A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | NTD24N06L | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 45mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 62.5W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 15 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 16nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 6.22 mm | |
| Altura | 2.38mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 24A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie NTD24N06L | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 45mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 62.5W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 15 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 16nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 6.22 mm | ||
Altura 2.38mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.73mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor
Transistores MOSFET, ON Semiconductor
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 24 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 7 A, Mejora, TO-252 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 18 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 12 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 50 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 20 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 17 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 38 A, Mejora, TO-252 de 3 pines