MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFP2907ZPBF, VDSS 80 V, ID 170 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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Código RS:
688-6976
Número do artigo Distrelec:
304-35-444
Referência do fabricante:
IRFP2907ZPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

170A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

TO-247

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

5mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.3V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

180nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

310W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

15.9mm

Altura

20.3mm

Anchura

5.3 mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia de canal N, 60 V a 80 V, Infineon


La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

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