MOSFET, N-Canal Infineon IRFB4410ZPBF, VDSS 100 V, ID 97 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 688-6954
- Referência do fabricante:
- IRFB4410ZPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 688-6954
- Referência do fabricante:
- IRFB4410ZPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 97A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 9mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 230W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 83nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 4.82mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 9.02mm | |
| Longitud | 10.66mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 97A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 9mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 230W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 83nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 4.82mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 9.02mm | ||
Longitud 10.66mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de la serie HEXFET de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 100 V, corriente de drenaje continua máxima de 97 A - IRFB4410ZPBF
Este MOSFET es un transistor de conmutación de alta potencia diseñado para montaje en orificio pasante en conjuntos de electrónica de potencia. Funciona como un dispositivo de mejora de canal N capaz de manejar una corriente de drenaje continua sustancial y una alta tensión de fuente de drenaje en un amplio rango ambiental, lo que lo convierte en adecuado para entornos térmicos exigentes y disposiciones de disipación térmica convencionales.
Características y ventajas:
• La tensión drenador-fuente de 100 V permite la conmutación de alta tensión
• La corriente continua de 97 A admite aplicaciones de carga pesada
• La Rds(on) de 9 mΩ minimiza las pérdidas por conducción durante el funcionamiento
• La disipación de potencia de 230 W permite un uso sostenido de alta potencia
• La carga de puerta típica de 83 nC proporciona una energía de conmutación predecible
• La tolerancia de puerta de 20 V permite márgenes de accionamiento de puerta robustos
• La corriente continua de 97 A admite aplicaciones de carga pesada
• La Rds(on) de 9 mΩ minimiza las pérdidas por conducción durante el funcionamiento
• La disipación de potencia de 230 W permite un uso sostenido de alta potencia
• La carga de puerta típica de 83 nC proporciona una energía de conmutación predecible
• La tolerancia de puerta de 20 V permite márgenes de accionamiento de puerta robustos
Aplicaciones
• Apto para etapas de inversor de accionamiento de motor industriales
• Ideal para convertidores y fuentes de alimentación dc-dc de alta corriente
• Se utiliza para la conmutación de potencia en telecomunicaciones y fuentes de alimentación de servidores
• Puede utilizarse para sistemas de gestión de baterías y carga
• Apto para el desarrollo de prototipos de electrónica de potencia de laboratorio
• Ideal para convertidores y fuentes de alimentación dc-dc de alta corriente
• Se utiliza para la conmutación de potencia en telecomunicaciones y fuentes de alimentación de servidores
• Puede utilizarse para sistemas de gestión de baterías y carga
• Apto para el desarrollo de prototipos de electrónica de potencia de laboratorio
¿Qué tipo de encapsulado se proporciona para el montaje y la refrigeración?
Se suministra en un encapsulado de orificio pasante TO-220 que facilita el montaje seguro en PCB y una fijación sencilla a un disipador térmico para la gestión térmica.
¿Qué consideraciones de accionamiento de puerta debo tener para el rendimiento de conmutación?
Espera una carga de puerta total típica de 83 nC con tensión de puerta estándar
diseñar controladores de puerta para generar y absorber una corriente suficiente para satisfacer las velocidades de conmutación objetivo al tiempo que gestiona las pérdidas de conmutación.
¿Cómo afecta el rango de temperatura de unión a la implementación?
El dispositivo está diseñado para funcionar desde -55 °C hasta 175 °C, lo que permite su uso en aplicaciones con amplias excursiones de temperatura ambiente y de unión siempre que se aplique un diseño térmico adecuado.
¿Cuál es la tensión directa en conducción y sus implicaciones?
La tensión de conducción directa es de 1,3 V en condiciones especificadas, lo que contribuye a los cálculos de pérdida de conducción total al dimensionar los presupuestos térmicos y de potencia.
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