MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 800 V, ID 2.5 A, Mejora, IPAK de 3 pines

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Código RS:
687-5352P
Referência do fabricante:
STD3NK80Z-1
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

2.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Serie

MDmesh, SuperMESH

Encapsulado

IPAK

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.5Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.6V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

19nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Disipación de potencia máxima Pd

70W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

6.6mm

Anchura

2.4 mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

6.2mm

Estándar de automoción

No

MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 700 V a 1200 V, STMicroelectronics


Transistores MOSFET, STMicroelectronics