MOSFET, N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 40 A, Mejora, ISOTOP de 4 pines

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Código RS:
687-5226P
Referência do fabricante:
STE40NC60
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

40A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

ISOTOP

Serie

MDmesh, SuperMESH

Tipo de montaje

Panel

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

130mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

307.5nC

Disipación de potencia máxima Pd

460W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-65°C

Tensión directa Vf

1.3V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

25.5mm

Longitud

38.2mm

Altura

9.1mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 250 V a 650 V, STMicroelectronics


Transistores MOSFET, STMicroelectronics


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