MOSFET, N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 1 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Opções de embalagem:
Código RS:
687-5181P
Referência do fabricante:
STD1NK60T4
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

1A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-252

Serie

MDmesh, SuperMESH

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

8.5Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

30W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30V

Tensión directa Vf

1.6V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.6mm

Anchura

6.2mm

Altura

2.4mm

Estándar de automoción

No

MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 250 V a 650 V, STMicroelectronics


Transistores MOSFET, STMicroelectronics


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