MOSFET STMicroelectronics STD1NK60T4, VDSS 600 V, ID 1 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 687-5181P
Referência do fabricante:: STD1NK60T4
Fabricante:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics STD1NK60T4, VDSS 600 V, ID 1 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:: 687-5181P
Referência do fabricante:: STD1NK60T4
Fabricante:: STMicroelectronics

MOSFET N-ch 1A 600V SuperMESH DPAK
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	600 V
Tipo de Encapsulado	DPAK (TO-252)
Serie	MDmesh, SuperMESH
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	8,5 Ω
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	3.7V
Tensión de umbral de puerta mínima	2.25V
Disipación de Potencia Máxima	30000 mW
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-30 V, +30 V
Longitud	6.6mm
Material del transistor	Si
Número de Elementos por Chip	1
Carga Típica de Puerta @ Vgs	7 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Ancho	6.2mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	2.4mm

MOSFET STMicroelectronics STD1NK60T4, VDSS 600 V, ID 1 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

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MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 250 V a 650 V, STMicroelectronics