MOSFET, N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 400 mA, Mejora, SOT-223 de 4 pines

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Código RS:
687-5131P
Referência do fabricante:
STN1HNK60
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

400mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

SOT-223

Serie

MDmesh, SuperMESH

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

8.5Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.6V

Disipación de potencia máxima Pd

3.3W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

6.5mm

Anchura

3.5mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.8mm

Estándar de automoción

No

MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 250 V a 650 V, STMicroelectronics


Transistores MOSFET, STMicroelectronics


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