MOSFET, N-Canal STMicroelectronics, VDSS 500 V, ID 14 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
687-5116P
Referência do fabricante:
STB14NK50ZT4
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

14A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

500V

Serie

MDmesh, SuperMESH

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

380mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.6V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30V

Disipación de potencia máxima Pd

150W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

69nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

4.6mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

9.35mm

Longitud

10.4mm

Estándar de automoción

No

MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 250 V a 650 V, STMicroelectronics


Transistores MOSFET, STMicroelectronics


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