MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STD35NF06LT4, VDSS 60 V, ID 35 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 687-5103
- Referência do fabricante:
- STD35NF06LT4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
6,58 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio de 9240 unidade(s) a partir do dia 14 de setembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,316 € | 6,58 € |
| 50 - 245 | 1,158 € | 5,79 € |
| 250 - 495 | 1,034 € | 5,17 € |
| 500 + | 0,888 € | 4,44 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 687-5103
- Referência do fabricante:
- STD35NF06LT4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 35A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | STripFET II | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 17mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 80W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 15V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 25nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 2.4mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.6mm | |
| Anchura | 6.2mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 35A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie STripFET II | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 17mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 80W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 15V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 25nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 2.4mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.6mm | ||
Anchura 6.2mm | ||
Estándar de automoción No | ||
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
Transistores MOSFET, STMicroelectronics
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 60 V, ID 35 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 35 V, ID 80 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STD35NF06T4, VDSS 60 V, ID 35 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STD80N240K6, VDSS 35 V, ID 80 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STD30NF06LT4, VDSS 60 V, ID 35 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal STMicroelectronics STD35P6LLF6, VDSS 60 V, ID 35 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 35 A, Mejora, TO-252 de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 35 A, Mejora, TO-252 de 3 pines