MOSFET, N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 500 mA, Mejora, TO-92 de 3 pines
- Código RS:
- 671-4736P
- Referência do fabricante:
- BS170
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Obtenha um desconto por quantidade
Adicione mais 250 para poupar 9,75 €
Ver preços por quantidadeSubtotal 100 unidades (fornecido em saco)*
29,50 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio de 760 unidade(s) a partir do dia 12 de novembro de 2026
- Mais 10.000 unidade(s) para enviar a partir do dia 27 de janeiro de 2027
- Mais 10.000 unidade(s) para enviar a partir do dia 10 de março de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Poupança |
|---|---|---|
| 100 - 240 | 0,295 € | - |
| 250 - 490 | 0,256 € | 9,75 € |
| 500 + | 0,224 € | 35,50 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 671-4736P
- Referência do fabricante:
- BS170
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 500mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | BS170 | |
| Encapsulado | TO-92 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 5Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 600mV | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20V, +20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 830mW | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 1.6nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 5.33mm | |
| Longitud | 5.2mm | |
| Anchura | 4.19mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 500mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie BS170 | ||
Encapsulado TO-92 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 600mV | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20V, +20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 830mW | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 1.6nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 5.33mm | ||
Longitud 5.2mm | ||
Anchura 4.19mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor
Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.
Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.