MOSFET, Tipo P-Canal onsemi FQD17P06TM, VDSS 60 V, ID 12 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 671-0968
- Número do artigo Distrelec:
- 304-43-729
- Referência do fabricante:
- FQD17P06TM
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
6,10 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Disponibilidade limitada
- 5 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
- Mais 7460 unidade(s) para enviar a partir do dia 15 de junho de 2026
O nosso stock atual é limitado e os fornecedores antecipam dificuldades no abasteccimiento.
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,22 € | 6,10 € |
| 50 - 95 | 1,052 € | 5,26 € |
| 100 - 495 | 0,912 € | 4,56 € |
| 500 - 995 | 0,802 € | 4,01 € |
| 1000 + | 0,73 € | 3,65 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 671-0968
- Número do artigo Distrelec:
- 304-43-729
- Referência do fabricante:
- FQD17P06TM
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 12A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | QFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 135mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | -4V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.5W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 21nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Altura | 2.39mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 12A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie QFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 135mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf -4V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.5W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 21nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.73mm | ||
Altura 2.39mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal P de modo de mejora, on Semiconductor
La gama de MOSFET de canal P de on Semiconductors se fabrica con tecnología DMOS de alta densidad celular propia DE ON Semi. Este proceso de muy alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia de encendido para proporcionar un rendimiento robusto y fiable para una conmutación rápida.
Características y ventajas:
• interruptor de señal pequeña de canal P controlado por tensión
• Diseño de celdas de alta densidad
• corriente de saturación alta
• conmutación superior
• Gran rendimiento robusto y fiable
• Tecnología DMOS
Aplicaciones:
• Conmutación De Carga
• Convertidor CC/CC
• Protección de la batería
• Control de administración de energía
• Control del motor de CC
Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
Links relacionados
- MOSFET, Tipo P-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 12 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal onsemi, VDSS 100 V, ID 6.6 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal onsemi, VDSS 40 V, ID 8.4 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal onsemi, VDSS 200 V, ID 5.7 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal onsemi, VDSS 30 V, ID 11 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal onsemi, VDSS 35 V, ID 55 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal onsemi, VDSS 12 V, ID 6.7 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 9.4 A, Mejora, TO-252 de 3 pines