MOSFET onsemi, Tipo N-Canal FQB4N80TM, VDSS 800 V, ID 3.9 A, TO-263, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple

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Opções de embalagem:
Código RS:
671-0908
Referência do fabricante:
FQB4N80TM
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

3.9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Serie

QFET

Encapsulado

TO-263

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.6Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

3.13W

Configuración de transistor

Simple

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

4.83mm

Número de elementos por chip

1

COO (País de Origem):
MY

MOSFET de canal N QFET®, hasta 5,9 A, Fairchild Semiconductor


Los nuevos MOSFET planares QFET® de FairField Semiconductor utilizan tecnología avanzada y propietaria para ofrecer el mejor rendimiento de funcionamiento de su clase para una amplia gama de aplicaciones, incluidas fuentes de alimentación, PFC (corrección de factor de potencia), convertidores dc-dc, paneles de display de plasma (PDP), balastos de iluminación y control de movimiento.

Ofrecen una pérdida de estado encendido reducida mediante la reducción de la resistencia de encendido (RDS(on)), y una pérdida de conmutación reducida mediante la reducción de la carga de puerta (Qg) y la capacitancia de salida (Coss). Al utilizar la tecnología de proceso QFET® avanzada, Fairchild puede ofrecer una cifra de mérito (FOM) mejorada con respecto a los dispositivos MOSFET Planar de la competencia.

Transistores MOSFET, ON Semi


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Los transistores MOSFET semi-ON proporcionan una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión y sobretensión reducidos, hasta una capacidad de unión y una carga de recuperación inversa más bajas, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas activos y funcionando durante más tiempo.

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