MOSFET onsemi FQB34P10TM, VDSS 100 V, ID 33 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 671-0891P
Referência do fabricante:: FQB34P10TM
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi FQB34P10TM, VDSS 100 V, ID 33 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:: 671-0891P
Referência do fabricante:: FQB34P10TM
Fabricante:: onsemi

FQB34P10, P-Channel QFET MOSFET 100V -33.5A, 60mOhm
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	33 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	100 V
Tipo de Encapsulado	D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	60 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	3750 mW
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-25 V, +25 V
Longitud	10.67mm
Número de Elementos por Chip	1
Carga Típica de Puerta @ Vgs	85 nC a 10 V
Material del transistor	Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Ancho	9.65mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	4.83mm

MOSFET onsemi FQB34P10TM, VDSS 100 V, ID 33 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

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MOSFET de canal P para aplicaciones de automoción, Fairchild Semiconductor