MOSFET onsemi, Tipo N-Canal FDS8949, VDSS 40 V, ID 6 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*

6,43 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • Envio de 3125 unidade(s) a partir do dia 11 de setembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".

Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
5 - 451,286 €6,43 €
50 - 951,112 €5,56 €
100 - 4950,962 €4,81 €
500 - 9950,842 €4,21 €
1000 +0,77 €3,85 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
671-0747
Número do artigo Distrelec:
304-43-728
Referência do fabricante:
FDS8949
Fabricante:
onsemi
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

PowerTrench

Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

29mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

0.8V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7.7nC

Configuración de transistor

Aislado

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

5mm

Altura

1.5mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N doble para aplicaciones de automoción, Fairchild Semiconductor


Fairchild Semiconductor proporciona soluciones que resuelven problemas complejos en el mercado de la automoción con minuciosos estándares de calidad, seguridad y fiabilidad.

Transistores MOSFET, ON Semi


On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.

En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

Links relacionados

Mantenha-se a par das últimas novidades e ofertas

Introduza o seu endereço de email

A informação pessoal que nos proporcionar ao subscrever esta newsletter será processada de acordo com a nossa política de privacidade.