MOSFET onsemi, Tipo N-Canal FDS8949, VDSS 40 V, ID 6 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- Código RS:
- 671-0747
- Número do artigo Distrelec:
- 304-43-728
- Referência do fabricante:
- FDS8949
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
6,06 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
- Mais 5 unidade(s) para enviar a partir do dia 08 de junho de 2026
- Mais 3185 unidade(s) para enviar a partir do dia 15 de junho de 2026
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,212 € | 6,06 € |
| 50 - 95 | 1,046 € | 5,23 € |
| 100 - 495 | 0,908 € | 4,54 € |
| 500 - 995 | 0,794 € | 3,97 € |
| 1000 + | 0,724 € | 3,62 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 671-0747
- Número do artigo Distrelec:
- 304-43-728
- Referência do fabricante:
- FDS8949
- Fabricante:
- onsemi
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Serie | PowerTrench | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 29mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 0.8V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 7.7nC | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.5mm | |
| Longitud | 5mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado SOIC | ||
Serie PowerTrench | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 29mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 0.8V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 7.7nC | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.5mm | ||
Longitud 5mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal N doble para aplicaciones de automoción, Fairchild Semiconductor
Transistores MOSFET, ON Semi
Links relacionados
- MOSFET onsemi, Tipo N-Canal, VDSS 40 V, ID 6 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET onsemi, Tipo N-Canal, VDSS 30 V, ID 6 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET onsemi, Tipo N-Canal, VDSS 100 V, ID 3.5 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET onsemi, Tipo P-Canal, VDSS 60 V, ID 2.3 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET onsemi, Tipo N-Canal, VDSS 100 V, ID 4.5 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET onsemi, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 3.5 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET onsemi, Tipo N-Canal, VDSS 20 V, ID 6.5 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET onsemi, Tipo N-Canal, VDSS 80 V, ID 4.7 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
