MOSFET onsemi, Tipo N, Tipo P-Canal FDS4897C, VDSS 40 V, ID 6.2 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- Código RS:
- 671-0539
- Referência do fabricante:
- FDS4897C
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 671-0539
- Referência do fabricante:
- FDS4897C
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
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Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N, Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6.2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Serie | PowerTrench | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 63mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 20nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2W | |
| Tensión directa Vf | 0.7V | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 5mm | |
| Altura | 1.5mm | |
| Anchura | 4mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N, Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6.2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado SOIC | ||
Serie PowerTrench | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 63mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 20nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2W | ||
Tensión directa Vf 0.7V | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 5mm | ||
Altura 1.5mm | ||
Anchura 4mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal N/P doble PowerTrench®, Fairchild Semiconductor
Los MOSFET PowerTrench® son interruptores de potencia optimizados que ofrecen un aumento de la eficiencia del sistema y la densidad de potencia. Combinan una carga de puerta pequeña (Qg), una carga de recuperación inversa pequeña (Qrr) y un diodo de cuerpo de recuperación inversa suave, lo que contribuye a una conmutación rápida de la rectificación síncrona en fuentes de alimentación ac/dc.
Los últimos MOSFET PowerTrench® emplean una estructura de puerta apantallada que proporciona equilibrio de carga. Al utilizar esta tecnología avanzada, la FOM (Figure of Merit) de estos dispositivos es significativamente más baja que la de la generación anterior.
El rendimiento de diodo de cuerpo suave de los MOSFET PowerTrench® es capaz de eliminar el circuito inestable o reemplazar un MOSFET de tensión nominal superior.
Transistores MOSFET, ON Semi
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Los transistores MOSFET semi-ON proporcionan una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión y sobretensión reducidos, hasta una capacidad de unión y una carga de recuperación inversa más bajas, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas activos y funcionando durante más tiempo.
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