Referência do fabricante

MOSFET, Tipo P-Canal onsemi FDS4435BZ, VDSS 30 V, ID 8.8 A, Mejora, SOIC de 8 pines

Código RS:: 671-0508
Referência do fabricante:: FDS4435BZ
Fabricante:: onsemi

MOSFET, Tipo P-Canal onsemi FDS4435BZ, VDSS 30 V, ID 8.8 A, Mejora, SOIC de 8 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Obtenha um desconto por quantidade

Adicione mais 50 para poupar 14%

Ver preços por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*

4,13 €

Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €

Disponibilidade limitada

20 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Mais 8530 unidade(s) para enviar a partir do dia 18 de novembro de 2026

O nosso stock atual é limitado e os fornecedores antecipam dificuldades no abasteccimiento.

Unidad(es)	Por unidade	Por Embalagem*	Poupança
5 - 45	0,826 €	4,13 €	-
50 - 95	0,71 €	3,55 €	14%
100 - 495	0,616 €	3,08 €	25%
500 - 995	0,542 €	2,71 €	34%
1000 +	0,494 €	2,47 €	40%

*preço indicativo

Código RS:: 671-0508
Referência do fabricante:: FDS4435BZ
Fabricante:: onsemi

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.

Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Tipo de canal	Tipo P
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	8.8A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	30V
	Encapsulado	SOIC
	Serie	FDS
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	20mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	29nC
	Tensión directa Vf	-1.2V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	2.5W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	-25V, +25V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Altura	1.5mm
	Longitud	5mm
	Anchura	4mm
	Certificaciones y estándares	No
	Estándar de automoción	No

	Selecionar tudo
	Marca onsemi
	Tipo de canal Tipo P
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 8.8A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V
	Encapsulado SOIC
	Serie FDS
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 20mΩ
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 29nC
	Tensión directa Vf -1.2V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 2.5W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta -25V, +25V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Altura 1.5mm
	Longitud 5mm
	Anchura 4mm
	Certificaciones y estándares No
	Estándar de automoción No

MOSFET de canal P para aplicaciones de automoción, Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor proporciona soluciones que resuelven problemas complejos en el mercado de la automoción con minuciosos estándares de calidad, seguridad y fiabilidad.

Transistores MOSFET, ON Semi

On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.

En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

Links relacionados

Mantenha-se a par das últimas novidades e ofertas

Introduza o seu endereço de email

A informação pessoal que nos proporcionar ao subscrever esta newsletter será processada de acordo com a nossa política de privacidade.