MOSFET Tetrode NXP BF1201WR,115, VDSS 10 V, ID 30 mA, CMPAK de 4 pines

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Código RS:
626-2169
Referência do fabricante:
BF1201WR,115
Fabricante:
NXP
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Marca

NXP

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

30 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

10 V

Tipo de Encapsulado

CMPAK

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

4

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

200 mW

Tensión Máxima Puerta-Fuente

+6 V

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

2.2mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Ancho

1.35mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-65 °C

Ganancia de Potencia Típica

33,5 dB

Altura

1mm

COO (País de Origem):
CN

MOSFET de canal N, NXP


Nota

NXP es una marca comercial de NXP B.V.


MOSFET Transistors, NXP

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