MOSFET, Tipo P-Canal Vishay, VDSS 100 V, ID 4 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Opções de embalagem:
Código RS:
543-0018
Referência do fabricante:
IRF9510PBF
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

IRF

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.2Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

8.7nC

Disipación de potencia máxima Pd

43W

Tensión directa Vf

-5.5V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

9.01mm

Longitud

10.41mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Los MOSFET de potencia de tercera generación Vishay proporcionan al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo resistente, baja resistencia de conexión y rentabilidad. El encapsulado TO-220AB es universalmente preferido para todas las aplicaciones comerciales e industriales con niveles de disipación de potencia de aproximadamente 50 W.

Valor nominal de dv/dt dinámico

Índice de avalancha repetitiva

Requisitos de accionamiento sencillos

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