MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 20 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

Código RS:: 541-2470
Número do artigo Distrelec:: 303-41-337
Referência do fabricante:: IRFI540NPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 20 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:: 541-2470
Número do artigo Distrelec:: 303-41-337
Referência do fabricante:: IRFI540NPBF
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	20A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	100V
	Encapsulado	TO-220
	Serie	HEXFET
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	52mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd	54W
	Tensión directa Vf	1.3V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	94nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Altura	8.9mm
	Certificaciones y estándares	No
	Anchura	4.83 mm
	Longitud	10.63mm
	Estándar de automoción	AEC-Q101

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	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 20A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V
	Encapsulado TO-220
	Serie HEXFET
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 52mΩ
	Modo de canal Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd 54W
	Tensión directa Vf 1.3V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 94nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Altura 8.9mm
	Certificaciones y estándares No
	Anchura 4.83 mm
	Longitud 10.63mm
	Estándar de automoción AEC-Q101

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 20 A, disipación de potencia máxima de 54 W - IRFI540NPBF

Este MOSFET se ha desarrollado para aplicaciones de alto rendimiento en la industria electrónica, desempeñando un papel crucial en la gestión de potencia y proporcionando una solución fiable para la conmutación y amplificación de señales electrónicas. Puede gestionar importantes cargas de tensión y corriente, garantizando la eficiencia en los dispositivos electrónicos modernos.

Características y ventajas

• Corriente de drenaje continua de hasta 20 A

• Tensión nominal de 100 V para un rendimiento duradero

• La baja tensión de umbral de puerta mejora la eficiencia de la conmutación

• Alta capacidad de disipación de potencia de hasta 54 W para una mayor durabilidad

• Diseño en modo de mejora de canal N para diversas aplicaciones

• La baja resistencia drenaje-fuente de 52 mΩ minimiza la pérdida de energía

Aplicaciones

• Se utiliza en fuentes de alimentación para circuitos electrónicos

• Aplicable en sistemas de gestión de la energía para automóviles

• Se utiliza en sistemas de control de motores para aumentar la eficacia

• Importancia de la conversión de potencia en los sistemas de energías renovables

• Empleado en maquinaria automatizada para procesos de control eficaces

¿Cuál es la corriente continua máxima de este aparato?

El dispositivo admite una corriente de drenaje continua máxima de 20 A, lo que le permite adaptarse a diversas aplicaciones.

¿Cómo afecta la tensión de umbral de puerta al rendimiento?

La tensión de umbral de puerta oscila entre 2 V y 4 V, lo que facilita la conmutación eficiente a tensiones de control más bajas y mejora el rendimiento.

¿Este aparato puede funcionar en entornos con altas temperaturas?

Sí, puede funcionar a temperaturas que alcanzan los +175 °C, lo que garantiza su rendimiento en condiciones difíciles.

¿Hay algún tipo de montaje específico recomendado para un rendimiento óptimo?

Es adecuado para el montaje a través de orificios, lo que permite conexiones seguras y una gestión térmica eficaz en diferentes aplicaciones.

MOSFET de potencia de canal N de 100 V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.