MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 121 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 260-1059
- Referência do fabricante:
- IPP026N04NF2SAKMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 tubo de 1000 unidades)*
540,00 €
Adicione 1000 unidades para obter entrega gratuita
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 25 de maio de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 1000 + | 0,54 € | 540,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 260-1059
- Referência do fabricante:
- IPP026N04NF2SAKMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 121A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | IPP | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.6mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 68nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 150W | |
| Tensión directa Vf | 0.88V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 4.75mm | |
| Anchura | 10.67 mm | |
| Certificaciones y estándares | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Longitud | 15.8mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 121A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie IPP | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.6mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 68nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 150W | ||
Tensión directa Vf 0.88V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 4.75mm | ||
Anchura 10.67 mm | ||
Certificaciones y estándares IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Longitud 15.8mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Infineon proporciona una solución para una amplia gama de aplicaciones, desde baja a alta frecuencia de conmutación, con una amplia disponibilidad de socios de distribución hasta una excelente relación de precio y rendimiento.
Corriente nominal alta
Encapsulado de orificio pasante estándar de la industria
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPP026N04NF2SAKMA1, VDSS 40 V, ID 121 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 35 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 197 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 201 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 75 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 31 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 20 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 113 A, Mejora, TO-220 de 3 pines