MOSFET Vishay IRFBE30PBF, VDSS 800 V, ID 4,1 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 541-1124P
Referência do fabricante:: IRFBE30PBF
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay IRFBE30PBF, VDSS 800 V, ID 4,1 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

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Preço Unidade (fornecido em fita)

1,77 €

Unidades	Por unidade
10 - 49	1,77 €
50 - 99	1,69 €
100 - 249	1,60 €
250 +	1,52 €

Código RS:: 541-1124P
Referência do fabricante:: IRFBE30PBF
Fabricante:: Vishay

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

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Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	4,1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	800 V
Tipo de Encapsulado	TO-220AB
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	3 Ω
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	125 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Ancho	4.7mm
Longitud	10.41mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Número de Elementos por Chip	1
Carga Típica de Puerta @ Vgs	78 nC a 10 V
Material del transistor	Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	9.01mm

MOSFET Vishay IRFBE30PBF, VDSS 800 V, ID 4,1 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

MOSFET de canal N, de 600 V a 1000 V, Vishay Semiconductor