MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRL3705NPBF, VDSS 55 V, ID 89 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 540-9991
- Referência do fabricante:
- IRL3705NPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 540-9991
- Referência do fabricante:
- IRL3705NPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 89A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 10mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 98nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 16V | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 170W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 4.69mm | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 9.02mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 89A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 10mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 98nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 16V | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 170W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 4.69mm | ||
Longitud 10.67mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 9.02mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 89 A, disipación de potencia máxima de 170 W - IRL3705NPBF
Este MOSFET de canal N está diseñado para aplicaciones de alto rendimiento, al tiempo que proporciona una mayor eficiencia y fiabilidad. Gracias a su avanzada tecnología HEXFET, ofrece una resistencia a la conexión mínima y es adecuado para diversas aplicaciones de automatización, electrónica y electricidad. El dispositivo funciona en una amplia gama de temperaturas, lo que garantiza un rendimiento eficaz en diversos entornos.
Características y ventajas
• Bajo Rds(on) de 10mΩ para una mayor eficiencia
• Funciona en modo de mejora para diseños de circuitos innovadores
• Conmutación rápida para mejorar la capacidad de respuesta del sistema
• Totalmente clasificado para avalanchas para una mayor durabilidad en situaciones exigentes
Aplicaciones
• Adecuado para sistemas industriales de gestión de la energía
• Ideal para accionamiento de motores en automatización
• Compatible con fuentes de alimentación que requieren baja resistencia térmica
• Se utiliza en convertidores CC-CC para mejorar la eficiencia energética
¿Cuál es la capacidad máxima de disipación de potencia?
La potencia máxima disipada es de 170 W, lo que facilita una gestión térmica eficaz en condiciones de carga elevada.
¿Es adecuado para altas temperaturas?
Este dispositivo puede funcionar en un rango de temperaturas de -55 °C a +175 °C, lo que lo hace adecuado para una gran variedad de escenarios de altas temperaturas.
¿Qué importancia tiene el intervalo de tensión de umbral de puerta?
La tensión de umbral de puerta oscila entre 1 V y 2 V, lo que resulta esencial para determinar los estados de encendido/apagado a través de diversas tensiones de accionamiento de puerta.
¿Qué consideraciones hay que tener en cuenta para utilizar esto en un circuito?
Asegúrese de que la tensión puerta-fuente no supere los ±16 V para evitar daños y mantener una funcionalidad óptima.
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