MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFZ48NPBF, VDSS 55 V, ID 64 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
540-9957
Referência do fabricante:
IRFZ48NPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

64A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Serie

HEXFET

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

14mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.3V

Disipación de potencia máxima Pd

130W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

81nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4.69 mm

Longitud

10.54mm

Altura

8.77mm

Estándar de automoción

No

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 64 A, disipación de potencia máxima de 130 W - IRFZ48NPBF


Este MOSFET de potencia es adecuado para aplicaciones de alta eficiencia, con un rendimiento robusto y métodos de procesamiento avanzados. Proporciona una opción fiable para una gran variedad de diseños electrónicos, especialmente en escenarios en los que la eficiencia energética es esencial.

Características y ventajas


• Admite corrientes de drenaje continuas de hasta 64 A

• Utiliza el modo de realce para mejorar las características de conmutación

• El bajo RDS(on) de 14mΩ mejora la eficiencia

• Funciona con fiabilidad en una gama de temperaturas de -55 °C a +175 °C

• Capaz de manejar tensiones puerta-fuente de hasta ±20V

• Totalmente resistente a avalanchas para mayor seguridad en condiciones transitorias

Aplicaciones


• Accionamiento de cargas inductivas en sistemas de automatización

• Circuitos de gestión de potencia en equipos industriales

• Sistemas eléctricos de automoción y convertidores de potencia

• Convertidores CC-CC y fuentes de alimentación

• Control del motor que requieren un alto rendimiento

¿Cuál es la capacidad máxima de disipación de potencia?


El dispositivo puede gestionar una disipación de potencia máxima de 130 W cuando se refrigera adecuadamente, lo que garantiza una gestión térmica eficaz en escenarios de alta carga.

¿Cómo afecta el rango de temperatura de funcionamiento al rendimiento?


El amplio rango de temperaturas de funcionamiento, de -55 °C a +175 °C, permite que el dispositivo funcione de forma fiable en diversas condiciones ambientales.

¿Este dispositivo es compatible con los diseños de placas de circuito impreso estándar?


Sí, está disponible en un encapsulado TO-220AB, de uso común en la industria por su sencillo montaje en PCB y su eficaz disipación del calor.

¿Qué aplicaciones se benefician más de la rápida velocidad de conmutación de este componente?


Los MOSFET de potencia con capacidad de conmutación rápida son ideales para aplicaciones como fuentes de alimentación conmutadas y convertidores de alta frecuencia, donde son cruciales las bajas pérdidas por conmutación.

¿Cómo debe manipularse el aparato durante la instalación?


Durante la instalación, asegúrese de que el par de montaje es el adecuado y evite temperaturas de soldadura excesivas. Se recomienda seguir las directrices de seguridad estándar para evitar daños.

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