MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STP80N1K1K6, VDSS 800 V, ID 5 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 287-7047
- Referência do fabricante:
- STP80N1K1K6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 287-7047
- Referência do fabricante:
- STP80N1K1K6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | STP80N | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.1mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 62W | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 5.7nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie STP80N | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.1mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 62W | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 5.7nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de potencia de STMicroelectronics se ha diseñado utilizando la última tecnología MDmesh K6 basada en 20 años de experiencia de STMicroelectronics en tecnología de superunión. El resultado es el mejor de su clase en resistencia por área y carga de puerta para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y alta eficiencia.
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