MOSFET, Tipo N, Tipo P-Canal STMicroelectronics MASTERGAN1LTR, VDSS 650 V, ID 9.7 A, Mejora, QFN-9 de 31 pines
- Código RS:
- 287-7041P
- Referência do fabricante:
- MASTERGAN1LTR
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 287-7041P
- Referência do fabricante:
- MASTERGAN1LTR
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N, Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 9.7A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | MASTERG | |
| Encapsulado | QFN-9 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 31 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 220mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 40mW | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 2nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 125°C | |
| Altura | 1mm | |
| Longitud | 9mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, ECOPACK | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N, Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 9.7A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie MASTERG | ||
Encapsulado QFN-9 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 31 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 220mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 40mW | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 2nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 125°C | ||
Altura 1mm | ||
Longitud 9mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS, ECOPACK | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- TH
El microcontrolador de STMicroelectronics es un avanzado sistema de alimentación en paquete que integra un controlador de puerta y dos transistores GaN de modo de mejora en configuración de medio puente. Los GaN de potencia integrados tienen RDS(ON) de 150 mΩ, 650 V de tensión de bloqueo drenaje-fuente, mientras que el lado alto del controlador de puerta integrado puede ser alimentado fácilmente por el diodo bootstrap integrado.
Pérdida de recuperación inversa cero
Protección UVLO en VCC
Diodo de arranque interno
Función de enclavamiento