MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQS120ELNW-T1_GE3, VDSS 30 V, ID 192 A, Mejora, 1212-8SLW de 8 pines
- Código RS:
- 280-0030
- Referência do fabricante:
- SQS120ELNW-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 280-0030
- Referência do fabricante:
- SQS120ELNW-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 192A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | SQS | |
| Encapsulado | 1212-8SLW | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0033Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 0.82V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 119W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 88nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 3.3mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 192A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie SQS | ||
Encapsulado 1212-8SLW | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0033Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 0.82V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 119W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 88nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 3.3mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de automoción Vishay es de canal N, y el transistor que lleva está fabricado de un material conocido como silicio.
MOSFET de potencia TrenchFET
Probado al 100 % en cuanto a Rg y UIS
Calificación AEC-Q101
Dispositivo completamente libre de plomo (Pb)
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