MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQS120ELNW-T1_GE3, VDSS 30 V, ID 192 A, Mejora, 1212-8SLW de 8 pines

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

1 239,00 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • Mais 3000 unidade(s) para enviar a partir do dia 02 de fevereiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Bobina*
3000 +0,413 €1 239,00 €

*preço indicativo

Código RS:
280-0029
Referência do fabricante:
SQS120ELNW-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

192A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

1212-8SLW

Serie

SQS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0033Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

88nC

Tensión directa Vf

0.82V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Disipación de potencia máxima Pd

119W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

3.3mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de automoción Vishay es de canal N, y el transistor que lleva está fabricado de un material conocido como silicio.

MOSFET de potencia TrenchFET

Probado al 100 % en cuanto a Rg y UIS

Calificación AEC-Q101

Dispositivo completamente libre de plomo (Pb)

Links relacionados