MOSFET, N-Canal Vishay SIRS5800DP-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 265 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

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Código RS:
279-9972
Referência do fabricante:
SIRS5800DP-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

265A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Serie

SIRS

Encapsulado

SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0018Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

122nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Disipación de potencia máxima Pd

240W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

5mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El MOSFET de Vishay es de canal N, y el transistor que contiene está fabricado en un material conocido como silicio.

MOSFET de potencia TrenchFET

Dispositivo completamente libre de plomo (Pb)

RDS muy bajo x factor de mérito Qg

Probado al 100 % en cuanto a Rg y UIS

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