MOSFET, N-Canal Vishay SIRS4302DP-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 478 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 279-9962
- Referência do fabricante:
- SIRS4302DP-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 279-9962
- Referência do fabricante:
- SIRS4302DP-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 478A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | SIRS | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.00057Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 230nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 208W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 5mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 478A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie SIRS | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.00057Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 230nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 208W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 5mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET serie SIRS de Vishay, disipación de potencia máxima de 208 W, tensión de fuente de drenaje máxima de 30 V - SIRS4302DP-T1-GE3
Características y ventajas:
• Alta corriente de drenaje continua de 478 A que permite la conmutación de cargas pesadas
• Tensión nominal de fuente de drenaje de 30 V para etapas de potencia de baja tensión
• Capacidad de disipación de potencia de 208 W para soportar un funcionamiento de alta potencia
• Carga de puerta de 230 nC para un comportamiento de conmutación predecible
• Tolerancia de fuente de puerta de 20 V para adaptarse a tensiones de accionamiento robustas
Aplicaciones
• Ideal para disposiciones MOSFET paralelas en módulos de potencia
• Se utiliza con rectificación síncrona en fuentes de alimentación
• Se puede utilizar para etapas de accionamiento de motor que requieren alta corriente de pico
• Adecuado para reguladores de conmutación industriales que funcionan en un amplio rango de temperaturas
¿Cómo funciona a temperaturas ambiente extremas?
¿Qué método de montaje se recomienda para la gestión térmica?
¿Qué consideraciones de accionamiento de puerta son necesarias para una conmutación rápida?
¿Es adecuado el dispositivo para programas de certificación de automoción?
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