MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STWA60N043DM9, ID 56 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 275-1384P
- Referência do fabricante:
- STWA60N043DM9
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 275-1384P
- Referência do fabricante:
- STWA60N043DM9
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 56A | |
| Serie | STW | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 43mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 78.6nC | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 312W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 56A | ||
Serie STW | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 43mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 78.6nC | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 312W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de potencia de canal N de STMicroelectronics se basa en la tecnología MDmesh DM9 de superunión más innovadora, adecuada para MOSFET de tensión media o alta con RDS(on) muy bajo por área acoplado a un diodo de recuperación rápida. La tecnología DM9 basada en silicio se beneficia de un proceso de fabricación de drenaje múltiple que permite una estructura de dispositivo mejorada.
Diodo de cuerpo de recuperación rápida
Mejor RDS mundial por área entre dispositivos de recuperación rápida basados en silicio
Carga de puerta baja, capacitancia de entrada y resistencia
Prueba de avalancha al 100 %