MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STWA60N043DM9, ID 56 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 275-1384
- Referência do fabricante:
- STWA60N043DM9
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 275-1384
- Referência do fabricante:
- STWA60N043DM9
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 56A | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Serie | STW | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 43mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±30 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 312W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 78.6nC | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 56A | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Serie STW | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 43mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±30 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 312W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 78.6nC | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de potencia de canal N de STMicroelectronics se basa en la tecnología MDmesh DM9 de superunión más innovadora, adecuada para MOSFET de tensión media o alta con RDS(on) muy bajo por área acoplado a un diodo de recuperación rápida. La tecnología DM9 basada en silicio se beneficia de un proceso de fabricación de drenaje múltiple que permite una estructura de dispositivo mejorada.
Diodo de cuerpo de recuperación rápida
Mejor RDS mundial por área entre dispositivos de recuperación rápida basados en silicio
Carga de puerta baja, capacitancia de entrada y resistencia
Prueba de avalancha al 100 %
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