MOSFET, N-Canal STMicroelectronics STW65N023M9-4, ID 92 A, Mejora, TO-247-4 de 4 pines
- Código RS:
- 275-1382
- Referência do fabricante:
- STW65N023M9-4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 275-1382
- Referência do fabricante:
- STW65N023M9-4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 92A | |
| Encapsulado | TO-247-4 | |
| Serie | STW | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 23mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 230nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 463W | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 5mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 15.8mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 92A | ||
Encapsulado TO-247-4 | ||
Serie STW | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 23mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 230nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 463W | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 5mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 15.8mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de potencia de canal N de STMicroelectronics se basa en la tecnología MDmesh M9 de superjunción más innovadora, adecuada para MOSFET de tensión media o alta con RDS(on) muy bajo por área. La tecnología M9 basada en silicio se beneficia de un proceso de fabricación de drenaje múltiple que permite una estructura de dispositivo mejorada. El producto resultante tiene uno de los valores de carga de puerta y resistencia de conexión más bajos, entre todos los MOSFET de potencia de superunión de conmutación rápida basados en silicio, lo que lo convierte en especialmente adecuado para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y una eficiencia excepcional.
Excelente rendimiento de conmutación
Fácil de manejar
Prueba de avalancha al 100 %
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