MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPP086N10N3GXKSA1, VDSS 100 V, ID 80 A, N, PG-TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 273-7466
- Referência do fabricante:
- IPP086N10N3GXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 273-7466
- Referência do fabricante:
- IPP086N10N3GXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 80A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | OptiMOS-TM3 | |
| Encapsulado | PG-TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Modo de canal | N | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 42nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 125W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 40 mm | |
| Altura | 1.5mm | |
| Longitud | 40mm | |
| Certificaciones y estándares | IEC61249-2-21, JEDEC1 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 80A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie OptiMOS-TM3 | ||
Encapsulado PG-TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Modo de canal N | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 42nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 125W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 40 mm | ||
Altura 1.5mm | ||
Longitud 40mm | ||
Certificaciones y estándares IEC61249-2-21, JEDEC1 | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Infineon es ideal para conmutación de alta frecuencia y rectificación síncrona. Este MOSFET está cualificado de acuerdo con JEDEC1 para la aplicación de destino. Se trata de un MOSFET de canal N y sin halógenos de acuerdo con IEC61249 2 21.
Chapado sin plomo
Conformidad con RoHS
Excelente carga de puerta
Resistencia de encendido muy baja
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