MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPU95R750P7AKMA1, VDSS 950 V, ID 9 A, Mejora, PG-TO251-3 de 3 pines
- Código RS:
- 273-3023
- Referência do fabricante:
- IPU95R750P7AKMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 273-3023
- Referência do fabricante:
- IPU95R750P7AKMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 950V | |
| Encapsulado | PG-TO251-3 | |
| Serie | IPU | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.75Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 23nC | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 73W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, JEDEC | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 950V | ||
Encapsulado PG-TO251-3 | ||
Serie IPU | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.75Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 23nC | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 73W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS, JEDEC | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia de Infineon está diseñado para satisfacer las crecientes necesidades de los consumidores en el ámbito de los MOSFET de alta tensión. La última tecnología Cool MOS P7 de 950 V se centra en el mercado de SMPS de baja potencia. El diodo integrado mejora considerablemente la robustez ESD, lo que reduce
Fácil de manejar y diseñar
Mejor rendimiento de producción mediante la reducción de fallos relacionados con ESD
Menos problemas de producción y menor retorno de campo
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