MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 112 A, Mejora, PG-TO262-3 de 3 pines

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Código RS:
273-3014
Referência do fabricante:
IPI076N15N5AKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

112A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

150V

Encapsulado

PG-TO262-3

Serie

OptiMOSa5

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

7.6mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

61nC

Disipación de potencia máxima Pd

214W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

JEDECforIndustrialApplications, IEC61249-2-21, RoHS

Estándar de automoción

No

Los MOSFET de potencia de Infineon son especialmente adecuados para accionamientos de baja tensión como montacargas y scooters electrónicos, así como aplicaciones de telecomunicaciones y energía solar.

Diseños de mayor densidad de potencia

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Reducción de costes del sistema

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