MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 90 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 273-3002
- Referência do fabricante:
- IPD048N06L3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 273-3002
- Referência do fabricante:
- IPD048N06L3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 90A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | IPD | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.8mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 50nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 6.731 mm | |
| Longitud | 10.48mm | |
| Altura | 6.223mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 90A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie IPD | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.8mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 50nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 6.731 mm | ||
Longitud 10.48mm | ||
Altura 6.223mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia de Infineon es una elección perfecta para la rectificación síncrona en fuentes de alimentación de modo conmutado, como las que se encuentran en servidores y ordenadores de sobremesa y cargador de tableta. Además, estos dispositivos se pueden utilizar para una amplia gama de aplicaciones industriales
Eficiencia del sistema más alta
Menos paralelismo necesario
Mayor densidad de potencia
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