MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 57 A, Mejora, PG-HDSOP-10-1 de 10 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 unidade)*

7,62 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • Mais 100 unidade(s) para enviar a partir do dia 23 de fevereiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
1 - 497,62 €
50 - 996,93 €
100 - 2496,34 €
250 - 4995,85 €
500 +5,45 €

*preço indicativo

Código RS:
273-2788
Referência do fabricante:
IPDD60R050G7XTMA1
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

57A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

OptiMOS

Encapsulado

PG-HDSOP-10-1

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

10

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

50mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

278W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

68nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El MOSFET de Infineon es fácil de usar y reúne los criterios de calidad más elevados. Es posible aumentar las economías de escala mediante el uso en topologías PFC y PWM en la aplicación. La reducción de la inductancia de la fuente parásita por la fuente Kelvin mejora la eficiencia mediante una conmutación más rápida y la facilidad de uso gracias a menos sonidos.

Completamente sin plomo

Conformidad con RUSP

Cables que facilitan la inspección visual

Mejora el rendimiento térmico

Apto para conmutación dura y suave

Links relacionados

Recently viewed