MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB65R099CFD7AATMA1, VDSS 650 V, ID 24 A, Mejora, PG-TO263-3 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Subtotal (1 bobina de 1000 unidades)*

23 297,00 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Encomendas inferiores a 80,00 € (IVA exc.) têm um custo de 7,00 €.
Fora de stock temporariamente
  • Envio a partir do dia 27 de abril de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Bobina*
1000 +23,297 €23 297,00 €

*preço indicativo

Código RS:
273-2777
Referência do fabricante:
IPB65R099CFD7AATMA1
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

24A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

OptiMOS

Encapsulado

PG-TO263-3

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

99mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

127W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

53nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de Infineon es un dispositivo de alimentación CoolMOS CFD7A de 650 V. Se trata de una última generación de MOSFET CoolMOS de alta tensión, calificados para automoción y líderes en el mercado, de Infineon. Además de los atributos bien conocidos de alta calidad y fiabilidad que requiere la industria de automoción, la nueva serie CoolMOS CFD7A proporciona un diodo de cuerpo rápido integrado y se puede utilizar para PFC y topologías de conmutación de resonancia como el puente completo de desplazamiento de fase ZVS y LLC.

Pérdidas de conmutación más bajas

Alta calidad y fiabilidad

Prueba de avalancha al 100 %

Optimizado para tensiones de batería más altas

Links relacionados